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DMN3008SCP10

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

文件:546.84 Kbytes 页数:9 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3008SCP10

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) with a 3.37mm x 1.47mm x 0.2mm size and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Built-in G-S Protection Diode Against ESD 2kV HBM;

Diodes

美台半导体

DMN3008SCP10-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

文件:546.84 Kbytes 页数:9 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3008SCP10-7

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    14.6 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2.7 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    7.8 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    11 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2.3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    15.8 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    31.3 nC

  • Packages:

    X4-DSN3415-10

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更多DMN3008SCP10供应商 更新时间2025-12-13 15:01:00