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DMN3008SCP10中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DMN3008SCP10 |
| 参数属性 | DMN3008SCP10 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415 |
| 功能描述 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 17:12:00 |
| 人工找货 | DMN3008SCP10价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DMN3008SCP10规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) with a 3.37mm x 1.47mm x 0.2mm size and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
Built-in G-S Protection Diode Against ESD 2kV HBM
应用 Application
Battery Management
Load Switch
Battery Protection
简介
DMN3008SCP10属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的DMN3008SCP10晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：DMN3008SCP10
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：30 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：14.6 A
- PD @ TA = +25°C
：2.7 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：7.8 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：11 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：2.3 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：15.8 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：31.3 nC
- Packages
：X4-DSN3415-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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DIODES |
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DFN |
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询价 |
