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DMN2990UFO	文件：333.97 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：333.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2990UFO-7B	文件：333.97 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：333.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2990UFO	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Package Profile\n0.6mm x 0.4mm Package Footprint\nLow On-Resistance\nVery Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2990UFZ	文件：249.07 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：249.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
EUP2990	文件：681.3 Kbytes Page：1 Pages	6 String White LED Driver 文件：681.3 Kbytes 页数：1 Pages	EUTECHEutech Microelectronics Inc 德信科技德信科技股份有限公司	EUTECH
IP2990	文件：210.31 Kbytes Page：5 Pages	1 AMP NEGATIVE LOW DROPOUT REGULATOR FOR 文件：210.31 Kbytes 页数：5 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.75 A
PD @ TA = +25°C：
0.84 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
990 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
1200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
1800 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.41 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN0604-3

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更多DMN2990UFO供应商更新时间2025-10-13 15:05:00

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