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DMN2990UFZ

Low On-Resistance

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DIODES

美台半导体

DMN2990UFZ_15

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN2990UFZ-7B

Low On-Resistance

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DIODES

美台半导体

DMN2990UFZ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.25 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.32 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    1200 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    1800 mΩ

  • VGS (th) Max:

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    0.5 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    X2-DFN0606-3

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更多DMN2990UFZ供应商 更新时间2026-1-30 13:26:00