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DMN2990UDJQ	文件：507.54 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：507.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2990UDJQ-7	文件：507.54 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：507.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2990UDJQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Dual N-Channel MOSFET\nLow On-Resistance\nVery low Gate Threshold Voltage, 1.0V max\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nUltra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm\nLow Package Profile, 0.45mm Maximum Package height;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2990UFA	文件：144.4 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：144.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2990UFA	文件：144.4 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：144.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2990UFO	文件：333.97 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：333.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.45 A
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
990 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
1200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
1800 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT963

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