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DMN24H11DSQ	文件：620.44 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  DC-DC Converters  Power Management Functions  Battery Operated Systems and Solid-State Relays  D 文件：620.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN24H11DSQ-13	文件：620.44 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4H1；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  DC-DC Converters  Power Management Functions  Battery Operated Systems and Solid-State Relays  D 文件：620.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN24H11DSQ-7	文件：620.44 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4H1；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  DC-DC Converters  Power Management Functions  Battery Operated Systems and Solid-State Relays  D 文件：620.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN24H11DSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
240 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.27 A
PD @ TA = +25°C：
1.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
11000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
12000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
3.7 nC
Packages：
SOT23

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更多DMN24H11DSQ供应商更新时间2026-2-5 15:46:00

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