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DMN2300UFL4Q	文件：576.32 Kbytes Page：7 Pages	20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Footprint of Just 1.3mm2  Ultra Low Profile Package — 0.4mm Profile  On Resistance 文件：576.32 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFL4Q-7	文件：576.32 Kbytes Page：7 Pages	丝印：23N；Package：X2-DFN1310-6；20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Footprint of Just 1.3mm2  Ultra Low Profile Package — 0.4mm Profile  On Resistance 文件：576.32 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFL4Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and is supported by a PPAP. •Footprint of Just 1.3mm2\n•Ultra Low Profile Package — 0.4mm Profile\n•On Resistance <200mΩ\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Fast Switching Speed\n•Ultra-Small Surface Mount Package\n•ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•The DMN;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2300UFL4	文件：467.66 Kbytes Page：7 Pages	20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：467.66 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFL4	文件：236 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-Small Surface Mount Package 文件：236 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.11 A
PD @ TA = +25°C：
1.39 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
195 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
260 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
380 mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
1.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN1310-6

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更多DMN2300UFL4Q供应商更新时间2026-2-6 11:38:00

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