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DMN2300UFB	文件：148.89 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：148.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB_15	文件：423.52 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：423.52 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB4	文件：146.46 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：146.46 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB4_15	文件：170.65 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：170.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB4-7B	文件：146.46 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：146.46 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB-7	文件：148.89 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：148.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB-7	文件：423.52 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：423.52 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB-7B	文件：423.52 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：423.52 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB-7B	文件：148.89 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：148.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFB	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance\n(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it\nideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
0.47 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
175 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
240 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
360 mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
1.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X1-DFN1006-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN2300UFB供应商更新时间2026-10-2 11:01:00

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