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DMN21D1UDA	文件：412.45 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN21D1UDA-7B	文件：412.45 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN21D1UDA	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nVery Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nUltra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm;	Diodes 美台半导体	Diodes
LWTN-21D1	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	Power Transducer Series L-UNIT 文件：146.39 Kbytes 页数：5 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM
LWTN-21D1SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	Power Transducer Series L-UNIT 文件：146.39 Kbytes 页数：5 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM
VAA21D1	文件：39.75 Kbytes Page：1 Pages	5x7mm SMT VCXO 文件：39.75 Kbytes 页数：1 Pages	WK	WK

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.455 A
PD @ TA = +25°C：
0.31 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
990 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
1200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
1800 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.41 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN0806-6

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