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DMN2053UVT	文件：415.95 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Applications  Backlighting  DC-DC Converters  Power Management Functio 文件：415.95 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UVT-13	文件：415.95 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR6；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Applications  Backlighting  DC-DC Converters  Power Management Functio 文件：415.95 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UVT-7	文件：415.95 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR6；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Applications  Backlighting  DC-DC Converters  Power Management Functio 文件：415.95 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UVTQ	文件：472.18 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UVTQ is suitable for automotive applications requiring specific 文件：472.18 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UVTQ-13	文件：472.18 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR6；Package：TSOT26；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UVTQ is suitable for automotive applications requiring specific 文件：472.18 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UVTQ-7	文件：472.18 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BR6；Package：TSOT26；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UVTQ is suitable for automotive applications requiring specific 文件：472.18 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2053UVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device The DMN2053UVTQ is suitable for automotive applicationsrequiring specific change control; this part is AEC-Q101qualifie;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.6 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
43 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
56 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TSOT26

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