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DMN2013UFX中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN2013UFX

功能描述

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-22 23:01:00

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DMN2013UFX规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

应用 Application

General Purpose Interfacing Switch
\t
\t\tPower Management Functions


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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN2013UFX

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N+N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :20 V

  • VGS

    :8 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :10 A

  • PD @ TA = +25°C

    :N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :14 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :1.1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :32.4 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A nC

  • Packages

    :W-DFN5020-6

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