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DMN2011UTS中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN2011UTS

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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DMN2011UTS规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

Low Gate Threshold Voltage
Low On-Resistance
ESD Protected Gate

应用 Application

Battery Management Application
Power Management Functions
DC-DC Converters

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN2011UTS

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :20 V

  • VGS

    :12 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :9 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :11 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :13 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :25 mΩ

  • VGS (th) Max

    :1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :24 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :56 nC

  • Packages

    :TSSOP-8

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