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DMN2011UTS	文件：439.84 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：439.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2011UTS-13	文件：439.84 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：439.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2011UTS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Gate Threshold Voltage\nLow On-Resistance\nESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes
DSC2011	文件：535.63 Kbytes Page：6 Pages	Low-Jitter Configurable Dual CMOS Oscillator 文件：535.63 Kbytes 页数：6 Pages	Micrel 麦瑞半导体	Micrel
E2011	文件：183.52 Kbytes Page：3 Pages	Light Bar Light Bar 文件：183.52 Kbytes 页数：3 Pages	GILWAY	GILWAY
E-2011	文件：104.48 Kbytes Page：1 Pages	SERIES 2000 UPRIGHT CABINET RACK 文件：104.48 Kbytes 页数：1 Pages	BUD	BUD

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9 A
PD @ TA = +25°C：
1.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
11 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
13 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
25 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
24 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
56 nC
Packages：
TSSOP-8

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