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DMN2011UFDE中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN2011UFDE规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
应用 Application
General Purpose Interfacing Switch
\t
\t\tPower Management Functions
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\t\t\t\tProduct Specifications
技术参数
- 制造商编号
：DMN2011UFDE
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：On Request*
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：20 V
- VGS
：12 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：11.7 A
- PD @ TA = +25°C
：1.97 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：9.5 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：11 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：20 mΩ
- VGS (th) Max
：1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：24 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：U-DFN2020-6 (Type E)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
3389 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
24+ |
DFN6(2x2) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2450+ |
U-DFN2020-6 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
DFN |
180 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
DIODES |
15+ |
DFN |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
美台原厂超低价支持 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
U-DFN2020-6 |
98000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
U-DFN2020-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Diodes |
22+ |
6UDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
