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DMN2009UCA4中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN2009UCA4规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
技术参数
- 制造商编号
：DMN2009UCA4
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)
：Standard
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes (Y|N)
：Yes
- |VDS| (V)
：20 V
- |VGS| (±V)
：8 ±V
- |IDS| @TA = +25°C (A)
：10.3 A
- PD @TA = +25°C (W)
：1.9 W
- RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)
：11.9 mΩ
- RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)
：23 mΩ
- |VGS(TH)| Min (V)
：0.35 V
- |VGS(TH)| Max (V)
：1.4 V
- CISS Typ (pF)
：1780 pF
- CISS Condition @|VDS| (V)
：10 V
- Packages
：X4-DSN1717-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
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DIODES/美台 |
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SO-8 |
25000 |
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DIODES/美台 |
24+ |
SO-8 |
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SOP-8 |
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NA |
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DIODES(美台) |
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SO-8 |
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DIODES/美台 |
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Diodes |
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UDFN25356 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
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DFN2020-6 |
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全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2023+ |
SO-8 |
6000 |
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