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DMN2009UCA4中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN2009UCA4规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
技术参数
- 制造商编号
:DMN2009UCA4
- 生产厂家
:Diodes
- Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)
:Standard
- Polarity
:N+N
- ESD Diodes (Y|N)
:Yes
- |VDS| (V)
:20 V
- |VGS| (±V)
:8 ±V
- |IDS| @TA = +25°C (A)
:10.3 A
- PD @TA = +25°C (W)
:1.9 W
- RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)
:11.9 mΩ
- RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)
:23 mΩ
- |VGS(TH)| Min (V)
:0.35 V
- |VGS(TH)| Max (V)
:1.4 V
- CISS Typ (pF)
:1780 pF
- CISS Condition @|VDS| (V)
:10 V
- Packages
:X4-DSN1717-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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360000 |
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DIODES/美台 |
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Diodes |
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DIODES/美台 |
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DFN2020-6 |
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DIODES/美台 |
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