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DMN2009UCA4中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN2009UCA4

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:00:00

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DMN2009UCA4规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN2009UCA4

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :N+N

  • ESD Diodes (Y|N)

    :Yes

  • |VDS| (V)

    :20 V

  • |VGS| (±V)

    :8 ±V

  • |IDS| @TA = +25°C (A)

    :10.3 A

  • PD @TA = +25°C (W)

    :1.9 W

  • RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)

    :11.9 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)

    :23 mΩ

  • |VGS(TH)| Min (V)

    :0.35 V

  • |VGS(TH)| Max (V)

    :1.4 V

  • CISS Typ (pF)

    :1780 pF

  • CISS Condition @|VDS| (V)

    :10 V

  • Packages

    :X4-DSN1717-4

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