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DMN16M0UCA6中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN16M0UCA6规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
特性 Features
•CSP with Footprint 2.11mm × 1.18mm
•Height = 0.11mm for Low Profile
•ESD Protection of Gate
应用 Application
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
：DMN16M0UCA6
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：Yes Y/N
- VDS
：12 V
- VGS
：8 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：17 A
- PD @ TA = +25°C
：2.6 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：5.9 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：11 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS(th) Min. (V)
：0.4 V
- VGS (th) Max
：1.3 V
- CISS Typ
：N/A pF
- CISS Condition [@VDS]
：N/A V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：24
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：X4-DSN2112-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT26 |
7350 |
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DIODES |
2016+ |
SOT463 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT163 |
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DIODES |
08+ |
SOT163 |
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DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
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询价 | ||
DIODES |
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SOT23-6 |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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DIODESINC |
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NA |
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询价 | ||
Diodes(美台) |
23+ |
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询价 | ||
Diodes |
24+ |
SOT-26 |
7500 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
新年份 |
SOT26 |
7350 |
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询价 |
