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DMN10H220LK3数据手册Diodes中文资料规格书
DMN10H220LK3规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
特性 Features
•Low On-Resistance
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed
•Low Input/Output Leakage
应用 Application
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：DMN10H220LK3
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：No Y/N
- VDS
：100 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：N/A A
- IDS @ TC = +25°C
：N/A A
- PD @ TA = +25°C
：N/A W
- PD @ TC = +25°C
：18.7 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：220 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：250 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：2.5 V
- CISS Typ
：384 pF
- CISS Condition [@VDS]
：25 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：3.7 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：6.1
- Packages
：Related ContentQuality Documentation
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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