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DMN10H220L中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN10H220L

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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DMN10H220L规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

应用 Application

Load Switch


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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN10H220L

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :DMN10H220LQ

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :100 V

  • VGS

    :16 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :1.6 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :220 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :250 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :8.3 nC

  • Packages

    :SOT23

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