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DMN2013UFDE中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN2013UFDE规格书详情
描述 Description
This new generation 20V N Channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to portable , Battery packing and other power management functions.
应用 Application
General Purpose Interfacing Switch
\t
\t\tPower Management Functions
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\t\t\t\tProduct Specifications
技术参数
- 制造商编号
：DMN2013UFDE
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：On Request*
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：20 V
- VGS
：8 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：10.5 A
- PD @ TA = +25°C
：0.66 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：11 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：13 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：1.1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：14.3 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：32 nC
- Packages
：U-DFN2020-6 (Type E)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
24250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
24+ |
DFN6(2x2) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
DIODES |
2016+ |
DFN |
7350 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2450+ |
U-DFN2020-6 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
NA |
3000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
DIODES(美台) |
2024+ |
U-DFN2020-6(E 类) |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
DIODES |
1213+ |
DFN |
7180 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
美台原厂超低价支持 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
U-DFN2020-6 |
98000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
U-DFN2020-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |
