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DMN10H6D2LFDB-7	文件：459.12 Kbytes Page：8 Pages	丝印：62；Package：U-DFN2020-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  High Drain-Source Voltage Rating  ESD Protected Up to 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)  For au 文件：459.12 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2011UFDE-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	U-DFN2020-6	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMN2044UCB4-7	文件：0 bytes Page：0 Pages		DIODESINC 上传：深圳市三芯电子有限公司	DIODESINC
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