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DMN10H6D2LFDB-7

丝印:62;Package:U-DFN2020-6;DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  High Drain-Source Voltage Rating  ESD Protected Up to 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)  For au

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DIODES

美台半导体

DMN2011UFDE-7

DIODES/美台
U-DFN2020-6

DIODES/美台

DMN2044UCB4-7

DIODESINC

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DMN2300UFD-7-81

DIODES/美台
X1-DFN1212-3

DIODES/美台

DMN24H3D5L-7

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SOT-23

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美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

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更多DMN10H6D2LFDB-7供应商 更新时间2025-9-30 15:49:00