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DMN13H750S	文件：610.51 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：610.51 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN13H750S_15	文件：668.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：668.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN13H750S-13	文件：668.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：668.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN13H750S-13	文件：610.51 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：610.51 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN13H750S-7	文件：610.51 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：610.51 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN13H750S-7	文件：668.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：668.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN13H750S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the\n\n\ton-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching\n\n\tperformance, making it ideal for high efficiency power management\n\n\tapplications. Low Gate Threshold Voltage\n\t\n\t\tLow Input Capacitance\n\t\n\t\tFast Switching Speed\n\t\n\t\tSmall Surface Mount Package\n\t\n\t\tTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n\t\n\t\tHalogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3);	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
130 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1 A
PD @ TA = +25°C：
1.26 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
750 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
850 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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