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DMN10H100SK3	文件：541.76 Kbytes Page：7 Pages	Halogen and Antimony Free. ?쏥reen??Device (Note 3) 文件：541.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H100SK3	文件：309.79 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMN10H100SK3	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast\n\n\tswitching, making it ideal for high efficiency power management\n\n\tapplications. Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized\n\t\n\t\tSmall form factor thermally efficient package enables higher density end products\n\t\n\t\tTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n\t\n\t\tHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN10H100SK3_15	文件：541.76 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：541.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H100SK3-13	文件：541.76 Kbytes Page：7 Pages	Halogen and Antimony Free. ?쏥reen??Device (Note 3) 文件：541.76 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.7 A
PD @ TA = +25°C：
2.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
80 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
25.2 nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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深圳市赛芯源科技有限公司	DMN10H100SK3	DIODES/美台	18+	TO-252	41200	原装正品,现货特价	询价
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上海金庆电子技术有限公司	DMN10H100SK3	DIODES	19+	TO-252	10100		询价

更多DMN10H100SK3供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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