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DMN1054UCB4	文件：364.14 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：364.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1054UCB4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This 3rd generation Lateral MOSFET (LD-MOS) is engineered to minimize on-state losses and switch ultra-fast, making it ideal for high efficiency power transfer. It uses Chip-Scale Package (CSP) to increase power density by combining low thermal impedance with minimal RDS(on) per footprint area.  LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit:\n RDS(on) = 37mΩ to Minimize On-State Losses\n Qg = 7.5nC for Ultra-Fast Switching\n Vgs(th) = 0.6V typ. for a Low Turn-On Potential\n CSP with Footprint 0.8mm × 0.8mm\n Height = 0.35mm for Low Profile;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN1054UCB4-7	文件：364.14 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：364.14 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H120SFG	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES INC	DIODES INC 上传：天津市博通航睿技术有限公司	DIODES INC
DMN2011UFDE-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES/美台 U-DFN2020-6	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
8 V
VGS：
5 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4 A
PD @ TA = +25°C：
1.34 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X1-WLB0808-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN1054UCB4供应商更新时间2025-10-10 15:01:00

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