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DMJ7N70SK3

700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:417.11 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMJ7N70SK3

Low Gate Input Resistance

文件:288.82 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMJ7N70SK3

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:310.26 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

DMJ7N70SK3

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

DMJ7N70SK3_15

700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:288.82 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMJ7N70SK3_17

700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:417.11 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMJ7N70SK3-13

700V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:417.11 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMJ7N70SK3-13

Low Gate Input Resistance

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DIODES

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    700 V

  • VGS:

    30 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    7 A

  • PD @ TA = +25°C:

    N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    1250 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    14 nC

  • Packages:

    TO252 (DPAK)

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更多DMJ7N70SK3供应商 更新时间2025-10-12 15:01:00