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DMG9N65CT	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG9N65CT	文件：305.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DMG9N65CT_15	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG9N65CTI	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	Low Input Capacitance	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMG9N65CTI	文件：296.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
DMG9N65CTI_15	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
9N65	文件：1.10568 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9N65	文件：67.88 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
9N65	文件：177.83 Kbytes Page：5 Pages	9A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N65A	文件：961.5 Kbytes Page：6 Pages	9A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
9N65CTI	文件：1.10567 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9N65K-MT	文件：205.92 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AM9N65P	文件：1.80029 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AM9N65P	文件：330.71 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel650-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AM9N65P	文件：1.1056 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FIR9N65LG	文件：1.42745 Mbytes Page：6 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-S	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
IRFB9N65	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET®PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N65A	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET®PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N65A	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFB9N65A	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
DMG9N65CT
功能描述：
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMG9N65CT供应商更新时间2024-4-30 14:00:00

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