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DMG9N65CT	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：233.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG9N65CT	文件：305.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMG9N65CT_15	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：233.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG9N65CTI	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	Low Input Capacitance 文件：438.34 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG9N65CTI	文件：296.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMG9N65CTI_15	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：438.34 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG9N65CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation complementary dual MOSFET features low onresistance\nand fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG9N65CTI	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES has been fabricated using an\nadvanced high voltage MOSFET process ,\nThis advanced technology has been especially tailored to minimize\non-state resistance, provide superior switching performance,\nand withstand high energy pulse in the avalanche and\ncommutation mode. These devices are well	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
No
Polarity：
N
ESDDiodes：
No
VDS：
650V
VGS：
30±V
IDS@TA=+25°C：
9A
PD@TA=+25°C：
165W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
1300mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
5V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
N/AnC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
39nC

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