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DMG9N65CTI	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	Low Input Capacitance 文件：438.34 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG9N65CTI	文件：296.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMG9N65CTI_15	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：438.34 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG9N65CTI	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES has been fabricated using an\nadvanced high voltage MOSFET process ,\nThis advanced technology has been especially tailored to minimize\non-state resistance, provide superior switching performance,\nand withstand high energy pulse in the avalanche and\ncommutation mode. These devices are well	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
No
Polarity：
N
ESDDiodes：
No
VDS：
650V
VGS：
30±V
IDS@TA=+25°C：
N/AA
PD@TA=+25°C：
N/AW
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
1300mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
N/AmΩ
VGS(th)Max：
5V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
N/AnC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
39nC

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