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DMG4N60SK3

600V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:565.93 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMG4N60SK3

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:310.38 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

DMG4N60SK3

600V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\nLow Gate Input Resistance\nLow Input Capacitance;

Diodes

美台半导体

DMG4N60SK3-13

600V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:565.93 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

技术参数

  • AutomotiveCompliantPPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESDDiodes:

    No

  • VDS:

    600V

  • VGS:

    30±V

  • IDS@TA=+25°C:

    N/AA

  • PD@TA=+25°C:

    N/AW

  • RDS(ON)Max@VGS(10V):

    2300mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(4.5V):

    N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(2.5V):

    N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(1.8V):

    N/AmΩ

  • VGS(th)Max:

    4.5V

  • QGTyp@VGS=4.5V(nC):

    N/AnC

  • QGTyp@VGS=10V(nC):

    14.3nC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMG4N60SK3供应商 更新时间2026-2-1 15:01:00