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DMG4800LK3	文件：242.62 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：242.62 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG4800LK3	文件：310.84 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
16 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.6 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多DMG4800LK3供应商更新时间2026-1-28 14:02:00

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