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DMG3402L	文件：290.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • For automotive applications requiring 文件：290.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3402L-13	文件：290.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • For automotive applications requiring 文件：290.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3402L-7	文件：290.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • For automotive applications requiring 文件：290.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3402LQ	文件：2.52747 Mbytes Page：5 Pages	丝印：3404B；Package：3404B；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The DMG3402LQ uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 30V ID =4.2A RDS(ON) 文件：2.52747 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DMG3402L_15	文件：290.75 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：290.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3402L-13	文件：290.75 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：290.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3402L-7	文件：290.75 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：290.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG3402L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG3402LQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET •Low On-Resistance\n•Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4 A
PD @ TA = +25°C：
1.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
52 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
85 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
8.2 nC
Packages：
SOT23

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更多DMG3402L供应商更新时间2025-10-9 11:01:00

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