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DMG2307L	文件：510.77 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：510.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2307L	文件：188.46 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：188.46 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMG2307L	文件：129.59 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：129.59 Kbytes 页数：2 Pages	TYSEMI 台湾TY半导体	TYSEMI
DMG2307LQ	文件：1.6335 Mbytes Page：5 Pages	丝印：3407；Package：SOT-23；P-Channel Super Enhancement Mode MOSFET General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed switching Applications Battery protection Load switch Power management 文件：1.6335 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DMG2307L_15	文件：349.5 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：349.5 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
OnRequest*
Polarity：
P
ESDDiodes：
No
VDS：
30V
VGS：
20±V
IDS@TA=+25°C：
3.2A
PD@TA=+25°C：
0.76W
RDS(ON)Max@VGS(10V)：
90mΩ
RDS(ON)Max@VGS(4.5V)：
130mΩ
RDS(ON)Max@VGS(2.5V)：
N/AmΩ
RDS(ON)Max@VGS(1.8V)：
3mΩ
VGS(th)Max：
4V
QGTyp@VGS=4.5V(nC)：
8.2nC
QGTyp@VGS=10V(nC)：
nC

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