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DMG2305UX	文件：442.85 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features ● Low On-Resistance ● Low Input Capacitance ● Fast Switching Speed Applications ● Backl 文件：442.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UX-13	文件：442.85 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features ● Low On-Resistance ● Low Input Capacitance ● Fast Switching Speed Applications ● Backl 文件：442.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UX-7	文件：442.85 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features ● Low On-Resistance ● Low Input Capacitance ● Fast Switching Speed Applications ● Backl 文件：442.85 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UXQ	文件：2.67243 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. The uses advanced trench technology DMG2305UXQ General Features VDS = -20V ID =-4.9A RDS(ON) 文件：2.67243 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DMG2305UX_15	文件：396.44 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：396.44 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UX-13	文件：396.44 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：396.44 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UX-7	文件：396.44 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：396.44 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UXQ	文件：410.5 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：410.5 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UXQ	文件：414.25 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：414.25 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2305UXQ_16	文件：410.5 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：410.5 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMG2305UXQ
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
52 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
200 mΩ
VGS (th) Max：
0.9 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
10.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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