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DMG2305UXQ	文件：2.67243 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMG2305UXQ GeneralFeatures VDS=-20VID=-4.9A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
IRLML2244	文件：2.67241 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheIRLML2244usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-20VID=-4.9A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NTR3A30PZ	文件：2.67241 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheNTR3A30PZusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-20VID=-4.9A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PMV27UPEA	文件：2.67244 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyPMV27UPEA GeneralFeatures VDS=-20VID=-4.9A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
RM2305B	文件：397.56 Kbytes Page：7 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralFeatures VDS=-20V,ID=-4.1A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SI2323CDS	文件：2.6724 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheSi2323CDSusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-20VID=-4.9A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LCE2305AA	文件：1.16282 Mbytes Page：3 Pages	Marking：A5SHB；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM2305AA	文件：1.23589 Mbytes Page：3 Pages	Marking：A5sHB；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM2305ML	文件：1.76088 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT23-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LMTL5P02	文件：2.58789 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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更多A5SHB供应商更新时间2025-5-23 10:03:00

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