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NTR3A30PZ	文件：2.67241 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A5SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The NTR3A30PZ uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = -20V ID =-4.9A RDS(ON) 文件：2.67241 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NTR3A30PZ	文件：101 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：101 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR3A30PZ	文件：119.76 Kbytes Page：6 Pages	??0 V, ??.9 A, Single P?묬hannel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT??3 Package 文件：119.76 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR3A30PZ_16	文件：101 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：101 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR3A30PZT1G	文件：119.76 Kbytes Page：6 Pages	??0 V, ??.9 A, Single P?묬hannel 2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT??3 Package 文件：119.76 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR3A30PZT1G	文件：101 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：101 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR3A30PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-2.9A，38mΩ Power MOSFET\n−20 V, −5.5 A, Single P−Channel\n2.4 x 2.9 x 1.0 mm SOT−23 Package • Low RDS(on) Solution in 2.4 mm x 2.9 mm Package\n• Efficiency\n• ESD Diode−Protected Gate\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
5.1
PD Max (W)：
1.58
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
38
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
6.9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
17.6
Ciss Typ (pF)：
1651
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	NTR3A30PZ	ON	19+	SOT-23	30000		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NTR3A30PZ		25+		5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	NTR3A30PZ	ON/安森美	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多NTR3A30PZ供应商更新时间2025-10-4 15:08:00

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