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DMG2302UKQ	文件：507.48 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable (Note 4) 文件：507.48 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302UKQ-13	文件：507.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：22K；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable (Note 4) 文件：507.48 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302UKQ-7	文件：507.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：22K；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability PPAP Capable (Note 4) 文件：507.48 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302U	文件：189.81 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：189.81 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMG2302U	文件：130.75 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：130.75 Kbytes 页数：2 Pages	TYSEMI 台湾TY半导体	TYSEMI
DMG2302U	文件：165.18 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G23；Package：SOT-23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：165.18 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302U	文件：493.81 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302U_15	文件：265.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：265.72 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302U_17	文件：493.81 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG2302U-7	文件：493.81 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：493.81 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.8 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
90 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
120 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
1.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
2.8 nC
Packages：
SOT23

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