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DMC67D8UFDBQ	文件：531.31 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Low Profile, 0.6mm Maximum Height • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable 文件：531.31 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC67D8UFDBQ-13	文件：531.31 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7D；Package：U-DFN2020-6；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Low Profile, 0.6mm Maximum Height • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable 文件：531.31 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC67D8UFDBQ-7	文件：531.31 Kbytes Page：10 Pages	丝印：7D；Package：U-DFN2020-6；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Low Profile, 0.6mm Maximum Height • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP Capable 文件：531.31 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC67D8UFDBQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.\n\n • Low On-Resistance• Low Input Capacitance• Low Profile, 0.6mm Maximum Height• ESD Protected Gate• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability• PPAP Capable (Note 4);	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
60
VGS：
20
IDS @ TA = +25°C：
0.39
PD @ TA = +25°C：
0.89 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
4000
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A
VGS (th) Max：
2.5
CISS Typ：
41
CISS Condition [@VDS]：
25
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
0.4
Packages：
U-DFN2020-6

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深圳市南科功率半导体有限公司	DMC67D8UFDBQ	NK/南科功率	2025+	DFN22-6L	986966	国产	询价
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更多DMC67D8UFDBQ供应商更新时间2026-1-22 14:01:00

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