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DMC25D0UVT	文件：466.12 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate on N-Channel (>6kV Human Body Model) Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards f 文件：466.12 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC25D0UVT-13	文件：466.12 Kbytes Page：11 Pages	丝印：C5D；Package：TSOT26；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate on N-Channel (>6kV Human Body Model) Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards f 文件：466.12 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC25D0UVT-7	文件：466.12 Kbytes Page：11 Pages	丝印：C5D；Package：TSOT26；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected Gate on N-Channel (>6kV Human Body Model) Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards f 文件：466.12 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC25D0UVT_15	文件：466.65 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：466.65 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC25D0UVT-13	文件：466.65 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：466.65 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC25D0UVT-7	文件：466.65 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：466.65 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC25D0UVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state\n\n\tresistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance,\n\n\tmaking it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
25
VGS：
8
IDS @ TA = +25°C：
0.4
PD @ TA = +25°C：
0.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4000
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
300 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.4
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TSOT26

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