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DMC21D1UDA	文件：494.93 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：494.93 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC21D1UDA-7B	文件：494.93 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：494.93 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC21D1UDA	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nVery Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nUltra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN21D1UDA	文件：412.45 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：412.45 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
LWTN-21D1	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	Power Transducer Series L-UNIT 文件：146.39 Kbytes 页数：5 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM
LWTN-21D1SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	Power Transducer Series L-UNIT 文件：146.39 Kbytes 页数：5 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.455
PD @ TA = +25°C：
0.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
990
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
1200
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.41
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN0806-6

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