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DMC1030UFDB	文件：692.48 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaxHeight ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol Applications LoadSwi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDB-13	文件：692.48 Kbytes Page：11 Pages	丝印：D3；Package：U-DFN2020-6；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaxHeight ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol Applications LoadSwi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDB-7	文件：692.48 Kbytes Page：11 Pages	丝印：D3；Package：U-DFN2020-6；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaxHeight ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol Applications LoadSwi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDBQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET; Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nLow Profile, 0.6mm Max Height\nESD Protected Gate; This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMC1030UFDB_15	文件：357.57 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDB-13	文件：357.57 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDB-7	文件：357.57 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDBQ	文件：564.21 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDBQ-13	文件：564.21 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC1030UFDBQ-7	文件：564.21 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.1
PD @ TA = +25°C：
1.36 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
34
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
40
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
50
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
13
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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