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DMC1016UPD	文件：510.82 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：510.82 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1016UPD-13	文件：510.82 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：510.82 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC1016UPD	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and load switch. Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nESD Protected Gate for Q2 P-Channel;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMG1016UDW	文件：212.41 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：212.41 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1016V	文件：205.8 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 文件：205.8 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1016VQ	文件：481.04 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 文件：481.04 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
12
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
9.5
PD @ TA = +25°C：
2.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
17
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
25 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
40 mΩ
VGS (th) Max：
1.5
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
18
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
PowerDI5060-8 (Type C)

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