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DMG1016VQ	文件：481.04 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 文件：481.04 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1016VQ-13	文件：481.04 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 文件：481.04 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1016VQ-7	文件：481.04 Kbytes Page：9 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 文件：481.04 Kbytes 页数：9 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG1016VQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage VGS(th) <1V\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nComplementary Pair MOSFET\nUltra-Small Surface Mount Package;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.87
PD @ TA = +25°C：
0.53 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
400
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
500
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
700
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.74
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT563

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