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AOD409G	文件：293.67 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=-28A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max) •100avalanchetested •Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD409L	文件：185.12 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOD409isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI409	文件：319.6 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI409	文件：1.3486 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=-60V,ID=-35A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOI409	文件：243 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF409	文件：946.8 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOTF409	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackaging •Highspeedswitching •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •PFCstages •LCD&PDPTV •Powersupply •Swi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF409	文件：155.9 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOTF409/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheTO220FLpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOTF409andAOTF409Lareelectricall	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF409L	文件：155.9 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOTF409/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheTO220FLpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.AOTF409andAOTF409Lareelectricall	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP409	文件：422.55 Kbytes Page：7 Pages	MMIC	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
AQR409	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	Gen2EthernetPHYs	AQUANTIAAQUANTIA CORP. 阿卡蒂亚阿卡蒂亚公司	AQUANTIA
AR409PC	文件：234.67 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto600V Meanforwardcurrent3863A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BB409	文件：60.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BVND-M409GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABB ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
CLC409	文件：403.97 Kbytes Page：10 Pages	VeryWideband,LowDistortionMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC409	文件：424 Kbytes Page：12 Pages	VeryWideband,LowDistortionMonolithicOpAmp	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CLC409AJE	文件：403.97 Kbytes Page：10 Pages	VeryWideband,LowDistortionMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC409AJP	文件：403.97 Kbytes Page：10 Pages	VeryWideband,LowDistortionMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC409ALC	文件：403.97 Kbytes Page：10 Pages	VeryWideband,LowDistortionMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC409AMC	文件：403.97 Kbytes Page：10 Pages	VeryWideband,LowDistortionMonolithicOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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详细参数

型号：
DG409MY/PR
功能描述：
多路器开关 IC Dual
4：
1 CMOS Analog
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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更多DG409MY/PR供应商更新时间2024-5-23 16:05:00

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