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AOTF409规格书详情
General Description
The AOTF409/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the TO220FL package, this device is well suited for high current load applications.AOTF409 and AOTF409L are electrically identical.
- RoHS Compliant
- AOTF409L Halogen Free
特性 Features
VDS (V) =-60V
ID = -24A (VGS = -10V)
RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON)
100 UIS Tested!
产品属性
- 型号:
AOTF409
- 功能描述:
MOSFET P-CH 60V 5.4A TO220FL
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
原厂原装正品 |
8000 |
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AOS |
24+ |
TO-220F |
39500 |
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询价 | ||
AOSMD |
21+ |
TO220F |
1800 |
原装 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
80000 |
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AOS |
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TO220FL |
1000 |
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AOS(万代) |
23+ |
标准封装 |
20000 |
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AOS/万代 |
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TO220FL |
25000 |
AOS/万代全系列在售 |
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AOS/万代 |
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TO-220F |
300000 |
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AOS/万代 |
24+ |
TO220FL |
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AOS/万代 |
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TO220FL |
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