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AOTF409中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

AOTF409
厂商型号

AOTF409

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

155.9 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 11:12:00

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AOTF409规格书详情

General Description

The AOTF409/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the TO220FL package, this device is well suited for high current load applications.AOTF409 and AOTF409L are electrically identical.

- RoHS Compliant

- AOTF409L Halogen Free

特性 Features

VDS (V) =-60V

ID = -24A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON)

100 UIS Tested!

产品属性

  • 型号:

    AOTF409

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 5.4A TO220FL

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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