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AOTF409	文件：155.9 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOTF409/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the TO220FL package, this device is well suited for high current load applications.AOTF409 and AOTF409L are electricall 文件：155.9 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF409	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-220F packaging • High speed switching • Very high commutation ruggedness • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • PFC stages • LCD & PDP TV • Power supply • Swi 文件：317.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF409	文件：946.8 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：946.8 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOTF409	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOTF409L	文件：155.9 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOTF409/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the TO220FL package, this device is well suited for high current load applications.AOTF409 and AOTF409L are electricall 文件：155.9 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220FL
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-60
VGS (±V)：
20
10V：
40
4.5V：
54
ID @ 25°C (A)：
-24
PD @ 25°C (W)：
43
Qg (4.5V)(nC)：
19.70
Qg (10V)(nC)：
43
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
2461
Coss (pF)：
178
Crss (pF)：
120
Qgd (nC)：
8.90
tD(on) (ns)：
12
tD(off) (ns)：
38
Trr (ns)：
26.68
Qrr (nC)：
167.12
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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