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AOD409G	文件：293.67 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= -28A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= -60V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 40mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum 文件：293.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD409G	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 60V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOD409L	文件：185.12 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD409 is Pb-free (meets 文件：185.12 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOI409	文件：1.3486 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=-60V,ID=-35A,RDS(ON) 文件：1.3486 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOI409	文件：243 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：243 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-60
VGS (±V)：
20
10V：
40
4.5V：
55
ID @ 25°C (A)：
-28
PD @ 25°C (W)：
60
Qg (4.5V)(nC)：
22
Qg (10V)(nC)：
45
VGS(th) max (V)：
-2.50
Ciss (pF)：
2350
Coss (pF)：
160
Crss (pF)：
115
Qgd (nC)：
10
tD(on) (ns)：
12
tD(off) (ns)：
38
Trr (ns)：
23
Qrr (nC)：
107
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AOD409G供应商更新时间2025-12-1 10:02:00

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