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DG1	文件：52.69 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURE CLAMPER / DAMPER GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER FEATURES ♦ Specially designed for clamping circuits horizontal deflection systems and damper applications ♦ High temperature metallurgically bonded construction ♦ Glass passivated cavity-free junction ♦ 1.5 Ampere operation at TA=50°C with no thermal runaway ♦ Typical IR less than 0.1µA ♦ He 文件：52.69 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
DG1	文件：428.28 Kbytes Page：8 Pages	Interface connector conforming to InfiniBand Standard 文件：428.28 Kbytes 页数：8 Pages	JAE 航空电子	JAE
DG10X06T1	文件：347.31 Kbytes Page：9 Pages	600V/10A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low V CE(sat) Fast IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175 o C 文件：347.31 Kbytes 页数：9 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
DG10X12T2	文件：479.13 Kbytes Page：9 Pages	1200V/10A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  10μs short circuit capability  Low switching loss  M 文件：479.13 Kbytes 页数：9 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
DG118	文件：2.90818 Mbytes Page：117 Pages	Analog Switches and Multiplexers Analog Switches with Dviver 文件：2.90818 Mbytes 页数：117 Pages	INTERSIL	INTERSIL
DG118	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNEL JFET GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES 文件：4.13074 Mbytes 页数：122 Pages	INTERSIL	INTERSIL
DG120X07T2	文件：484.07 Kbytes Page：9 Pages	650V/120A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175oC 文件：484.07 Kbytes 页数：9 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
DG123	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNEL JFET GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES 文件：4.13074 Mbytes 页数：122 Pages	INTERSIL	INTERSIL
DG123	文件：2.90818 Mbytes Page：117 Pages	Analog Switches and Multiplexers Analog Switches with Dviver 文件：2.90818 Mbytes 页数：117 Pages	INTERSIL	INTERSIL
DG125	文件：2.90818 Mbytes Page：117 Pages	Analog Switches and Multiplexers Analog Switches with Dviver 文件：2.90818 Mbytes 页数：117 Pages	INTERSIL	INTERSIL

晶体管资料

型号：
DG1008
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_宽频带放大（A）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
KSC1008,2SC1008,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
A-11
vtest：
80
htest：
999900
atest：
0.7
wtest：
0.8

技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
1500V
Peak Reverse Recovery Time：
20000ns
Peak Reverse Current：
5uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
40A
Peak Forward Voltage：
1.1@1AV
Operating Junction Temperature：
-55 to 175°C
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Continuous Forward Current：
1.5@Ta=50CA
Configuration：
Single

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