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DG120X07T2

650V/120A IGBT with Diode

General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175oC

文件:484.07 Kbytes 页数:9 Pages

STARPOWER

斯达半导体

DG120X07T2

分立器件

StarPower

斯达半导体

DG189BP

DIP16镀金

SILICONI

DG3001FEG84HUX898777-001

BGA

MICROSOFT

微软

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DG403DY

SOP16

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

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更多DG120X07T2供应商 更新时间2026-2-2 9:32:00