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DFBR030U3LP	文件：417.71 Kbytes Page：8 Pages	3.0A SBR FULL BRIDGE RECTIFIER 文件：417.71 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DFBR030U3LP-13	文件：417.71 Kbytes Page：8 Pages	3.0A SBR FULL BRIDGE RECTIFIER 文件：417.71 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DFBR030U3LP	文件：300 bytes Page：1 Pages	mosfet-plus-sbr Dual 30V N-Channel MOSFETs with Dual 3.0A Super Barrier\n\nRectifier Diodes together packaged in a 4.0 x 4.0 x 0.6 mm\n\nDFN Package 1. For two N-channel MOSFET transistors:\n\nDrain-Source Breakdown Voltage: 30V\n\nMaximum Drain Current: 3.2A\n\n2. For two Super Barrier Rectifier Diodes:\n\nForward Voltage Drop VF less than 0.42V\n\nMaximum leakage current IR is less than 400 uA at 25 oC\n\n3. For the Rectifier as a whole:\n\nRe;	Diodes 美台半导体	Diodes
DFBR030U3LP-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-UDFN 裸露焊盘；包装：托盘类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1P 30V 3A DFN4040-8	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Config/ Polarity：
Dual 30V N + Dual 30A SBR
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
26 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.2 V
CISS Typ @VDS = -10V：
N/A pF
V(BR)R (V) Min @IR=400uA：
30
VF(V) Max @ IF=100mA：
0.278
VF(V) Max @ IF=1A：
0.37
VF(V) Max @ IF=2A：
0.42
IR(uA) Max @ VR=5V：
150
IR(uA) Max @ VR=30V：
400
Packages：
U-DFN4040-8

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更多DFBR030U3LP供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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