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FQA7N80	文件：369.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA7N80C	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C	文件：798.36 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA7N80C	文件：610.86 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF7N80	文件：778.77 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET 800VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB7N80	文件：802.07 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Features •6.6A,800V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical40nC) •LowCrss(typical19pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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