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DF2B6.8M1ACT	文件：1.87513 Mbytes Page：4 Pages	Marking：21；Package：DFN1006；ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs) RoHSCompliant	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
DF2B6.8M1ACT	文件：268.18 Kbytes Page：8 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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功能描述/丝印

制造商上传企业

LOGO

DF2B6.8M1ACT

文件：1.87513 Mbytes

Page：4 Pages

Marking：21；Package：DFN1006；ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE

Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs) RoHSCompliant

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH

DF2B6.8M1ACT

文件：268.18 Kbytes

Page：8 Pages

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

DF2B6.8M1ACT,L3F

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：SOD-882；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 20VC CST2

Toshiba Semiconductor and Storage

详细参数

型号：
DF2B6.8M1ACT
功能描述：
ESD 抑制器 ESD Diode 6V BI 0.3pF 0.5 IR 1 LN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道：
8 Channels
击穿电压：
8 V
电容：
45 pF
端接类型：
SMD/SMT
封装/箱体：
uQFN-16 功率耗散
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DF2B6.8M1ACT供应商更新时间2025-5-8 20:19:00

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