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DF2B6.8M1ACT	文件：1.87513 Mbytes Page：4 Pages	丝印：21；Package：DFN1006；ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 4.5A (8/20μs) RoHS Compliant 文件：1.87513 Mbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DF2B6.8M1ACT	文件：268.18 Kbytes Page：8 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar 文件：268.18 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
DF2B6.8M1ACT	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD protection diode (bi-directional type) Internal Connection：Single\nNumber of Circuits：1\nNumber of Protected Lines：1\nconfiguration：Bidirectional\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-12 kV ;	Toshiba 东芝	Toshiba
DF2B6.8M1ACT,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-882；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 20VC CST2	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

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中天科工半导体（深圳）有限公司	DF2B6.8M1ACT	TOSHIBA/东芝	25+	SOD-882	46722	TOSHIBA/东芝全新特价DF2B6.8M1ACT即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多DF2B6.8M1ACT供应商更新时间2025-10-5 14:14:00