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DF2B6.8M1ACT电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

DF2B6.8M1ACT
厂商型号

DF2B6.8M1ACT

参数属性

DF2B6.8M1ACT 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;DF2B6.8M1ACT应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5VWM 20VC CST2

功能描述

ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE

丝印标识

21

封装外壳

DFN1006 / SOD-882

文件大小

1.87513 Mbytes

页面数量

4

生产厂商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企业简称

LEIDITECH雷卯电子

中文名称

上海雷卯电子科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-19 23:00:00

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DF2B6.8M1ACT规格书详情

Features

Ultra low leakage: nA level

Operating voltage: 5V

Low clamping voltage

Complies with following standards:

– IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test

Air discharge: ±30kV

Contact discharge: ±30kV

– IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)

– IEC61000-4-5 (Lightning) 4.5A (8/20μs)

RoHS Compliant

Applications

Smart phones

Display Ports

MDDI Ports

USB Ports

Digital Video Interface (DVI)

PCI Express and Serial SATA Ports

产品属性

  • 产品编号:

    DF2B6.8M1ACT,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    6V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    20V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    2.5A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    50W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    0.3pF @ 1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-882

  • 供应商器件封装:

    CST2

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 20VC CST2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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